Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ко-валентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильно-легированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

учебники и пособия для вузов

физика

электроника

Полная версия

Физические основы микро- и наноэлектроники